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PN结正偏时,内电场变弱,耗尽层变薄。

判断题

2018-08-03 15:26:06

0775

A.对
B.错
参考答案：……

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科目：模拟电子线路

学科：电子科学与技术

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PN结加反向电压时,空间电荷区将()。

已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为3.2V、2.5V和9V,则3.2V所对应的电极为()。

BJT处于饱和状态的条件是()。

当温度升高时,三极管的反向饱和电流ICBO将()。

已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为2V、6V、2.2V,则2V所对应的电极为()。

实际二极管与理想二极管的区别之一是反向特性中存在()。

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。

半导体二极管的重要特性之一是()。

在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过低,容易产生()。

二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将()。

多谐振荡器可以产生矩形脉冲输出。

GAL器件是一种可编程逻辑器件。

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